MOSFET, N-Canal Infineon BSS806NEH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 2.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 165-5871
- Referência do fabricante:
- BSS806NEH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 165-5871
- Referência do fabricante:
- BSS806NEH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 82mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -8, +8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 1.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 82mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -8, +8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 2.9mm | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 1.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de la serie OptiMOS 2 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 2,3 A - BSS806NEH6327XTSA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de pequeña señal diseñado para aplicaciones de montaje en superficie en las que se requiere un rendimiento de conmutación compacto. Es adecuado para su uso en etapas de potencia de baja tensión y circuitos de control en un amplio rango de temperaturas, y ofrece una funcionalidad que admite entornos electrónicos de consumo y de automoción.
Características y ventajas:
• La baja resistencia de encendido de 82 mΩ reduce las pérdidas por conducción y el calor
• El valor nominal de drenaje-fuente de 20 V permite una conmutación segura de baja tensión
• La corriente continua de 2,3 A admite corrientes de carga moderadas
• La carga de puerta de 1,7 nC permite transiciones rápidas de accionamiento de puerta
• La disipación de potencia de 500 mW limita la tensión térmica en configuraciones estrechas
• Puerta tolerada hasta 8 V para tensiones de accionamiento flexibles
• El valor nominal de drenaje-fuente de 20 V permite una conmutación segura de baja tensión
• La corriente continua de 2,3 A admite corrientes de carga moderadas
• La carga de puerta de 1,7 nC permite transiciones rápidas de accionamiento de puerta
• La disipación de potencia de 500 mW limita la tensión térmica en configuraciones estrechas
• Puerta tolerada hasta 8 V para tensiones de accionamiento flexibles
Aplicaciones
• Apto para módulos de gestión de baterías y distribución de potencia
• Ideal para convertidores dc-dc en montajes compactos
• Se utiliza con salidas de microcontrolador para conmutación de baja tensión
• Puede utilizarse para conmutar cargas en electrónica de automoción
• Se utiliza para el control de potencia de nivel de señal en sistemas integrados
• Ideal para convertidores dc-dc en montajes compactos
• Se utiliza con salidas de microcontrolador para conmutación de baja tensión
• Puede utilizarse para conmutar cargas en electrónica de automoción
• Se utiliza para el control de potencia de nivel de señal en sistemas integrados
¿Qué encapsulado y estilo de montaje utiliza?
Se suministra en un encapsulado SOT-23 diseñado para montaje en superficie para ahorrar espacio en la placa y simplificar la colocación automatizada.
¿Qué condiciones de temperatura puede soportar durante su funcionamiento?
Funciona en un amplio intervalo térmico de –55 a 150 °C para adaptarse a entornos hostiles y temperaturas de unión elevadas.
¿Cuántos contactos están disponibles y cuál es el tipo de canal?
Hay tres contactos y el dispositivo utiliza una ruta de conducción de canal N configurada en modo de mejora.
¿Cuál es la característica típica de diodo de avance/masivo?
El dispositivo presenta una tensión directa de 0,82 V a través de su diodo intrínseco en condiciones de conducción típicas.
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