MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS806NEH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 2.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 165-5871
- Referência do fabricante:
- BSS806NEH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 165-5871
- Referência do fabricante:
- BSS806NEH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 82mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.3 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 82mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.3 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.9mm | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™2 de Infineon
La familia de canal N OptiMOS™2 de Infineon ofrece la resistencia en funcionamiento más baja dentro de su grupo de tensión. La serie Power MOSFET se puede utilizar en muchas aplicaciones, entre las que se incluyen proyectos de alta frecuencia de telecomunicaciones, comunicación de datos, energía solar, unidades de baja tensión y fuentes de alimentación para servidores. La familia de productos OptiMOS 2 abarca tensiones de 20 V en adelante y ofrece una selección de diferentes tipos de encapsulado.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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