MOSFET, N-Canal Infineon BSS806NH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 2.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 165-5868
- Referência do fabricante:
- BSS806NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 165-5868
- Referência do fabricante:
- BSS806NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 82mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -8V, +8V | |
| Tensión directa Vf | 820mV | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.3mm | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 82mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -8V, +8V | ||
Tensión directa Vf 820mV | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.3mm | ||
Longitud 2.9mm | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 2, corriente de drenaje continua máxima de 2,3 A, disipación de potencia máxima de 500 mW - BSS806NH6327XTSA1
Este MOSFET está diseñado para una gestión eficaz de la potencia en diversas aplicaciones electrónicas, con una corriente de drenaje continua máxima de 2,3 A y una tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V. Sus características de baja resistencia ayudan a minimizar las pérdidas de energía, por lo que es adecuado para aplicaciones que requieren un alto nivel de confianza en condiciones rigurosas.
Características y ventajas
• La configuración de canal N mejora el rendimiento de conmutación
• El modo de mejora reduce las fugas fuera de estado
• Compatibilidad con niveles ultralógicos apta para aplicaciones de 1,8 V
• El índice de avalancha integrado mejora la robustez bajo tensión
• La cualificación AEC-Q101 para aplicaciones de automoción garantiza un rendimiento duradero
• El diseño de montaje en superficie permite una integración sencilla en circuitos compactos
Aplicaciones
• Ideal para la gestión de la energía en la electrónica del automóvil
• Se utiliza para accionar cargas de baja tensión en sistemas de automatización
• Apto para conmutación en fuentes de alimentación
• Diseñado para entornos operativos de alta temperatura
¿Puede utilizarse en aplicaciones de automoción?
Sí, cuenta con la cualificación AEC-Q101, lo que garantiza su idoneidad para entornos de automoción.
¿Cuál es la gama de temperaturas de funcionamiento?
La gama de temperaturas de funcionamiento oscila entre -55°C y +150°C.
¿Cómo afecta su valor RDS(on) al rendimiento del circuito?
Un valor bajo de RDS(on) reduce la pérdida de potencia durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia global.
¿Cuál es el significado de su voltaje umbral de puerta?
La tensión de umbral de puerta indica cuándo empieza a conducir el MOSFET, lo que es vital para controlar la temporización del interruptor.
Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™2 de Infineon
La familia de canal N OptiMOS™2 de Infineon ofrece la resistencia en funcionamiento más baja dentro de su grupo de tensión. La serie Power MOSFET se puede utilizar en muchas aplicaciones, entre las que se incluyen proyectos de alta frecuencia de telecomunicaciones, comunicación de datos, energía solar, unidades de baja tensión y fuentes de alimentación para servidores. La familia de productos OptiMOS 2 abarca tensiones de 20 V en adelante y ofrece una selección de diferentes tipos de encapsulado.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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