MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS806NH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 2.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Código RS:: 165-5868
Referência do fabricante:: BSS806NH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS806NH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 2.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:: 165-5868
Referência do fabricante:: BSS806NH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	2.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Serie	OptiMOS 2
	Encapsulado	SOT-23
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	82mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	500mW
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	1.7nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	0.82V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	8 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	1.3 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	2.9mm
	Altura	1mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

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	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 2.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Serie OptiMOS 2
	Encapsulado SOT-23
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 82mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 500mW
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.7nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 0.82V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 1.3 mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 2.9mm
	Altura 1mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

COO (País de Origem):: CN

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 2, corriente de drenaje continua máxima de 2,3 A, disipación de potencia máxima de 500 mW - BSS806NH6327XTSA1

Este MOSFET está diseñado para una gestión eficaz de la potencia en diversas aplicaciones electrónicas, con una corriente de drenaje continua máxima de 2,3 A y una tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V. Sus características de baja resistencia ayudan a minimizar las pérdidas de energía, por lo que es adecuado para aplicaciones que requieren un alto nivel de confianza en condiciones rigurosas.

Características y ventajas

• La configuración de canal N mejora el rendimiento de conmutación

• El modo de mejora reduce las fugas fuera de estado

• Compatibilidad con niveles ultralógicos apta para aplicaciones de 1,8 V

• El índice de avalancha integrado mejora la robustez bajo tensión

• La cualificación AEC-Q101 para aplicaciones de automoción garantiza un rendimiento duradero

• El diseño de montaje en superficie permite una integración sencilla en circuitos compactos

Aplicaciones

• Ideal para la gestión de la energía en la electrónica del automóvil

• Se utiliza para accionar cargas de baja tensión en sistemas de automatización

• Apto para conmutación en fuentes de alimentación

• Diseñado para entornos operativos de alta temperatura

¿Puede utilizarse en aplicaciones de automoción?

Sí, cuenta con la cualificación AEC-Q101, lo que garantiza su idoneidad para entornos de automoción.

¿Cuál es la gama de temperaturas de funcionamiento?

La gama de temperaturas de funcionamiento oscila entre -55°C y +150°C.

¿Cómo afecta su valor RDS(on) al rendimiento del circuito?

Un valor bajo de RDS(on) reduce la pérdida de potencia durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia global.

¿Cuál es el significado de su voltaje umbral de puerta?

La tensión de umbral de puerta indica cuándo empieza a conducir el MOSFET, lo que es vital para controlar la temporización del interruptor.

Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™2 de Infineon

La familia de canal N OptiMOS™2 de Infineon ofrece la resistencia en funcionamiento más baja dentro de su grupo de tensión. La serie Power MOSFET se puede utilizar en muchas aplicaciones, entre las que se incluyen proyectos de alta frecuencia de telecomunicaciones, comunicación de datos, energía solar, unidades de baja tensión y fuentes de alimentación para servidores. La familia de productos OptiMOS 2 abarca tensiones de 20 V en adelante y ofrece una selección de diferentes tipos de encapsulado.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.