MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STR2N2VH5, VDSS 20 V, ID 2.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
791-7876
Referência do fabricante:
STR2N2VH5
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SOT-23

Serie

STripFET V

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8V

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

350mW

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.04mm

Altura

1.3mm

Anchura

1.75mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

STripFET™ V de canal N, STMicroelectronics


Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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