MOSFET, N-Canal Nexperia, VDSS 12 V, ID 6 A, Mejora, WLCSP de 4 pines
- Código RS:
- 153-2851
- Referência do fabricante:
- PMCM4401VNEAZ
- Fabricante:
- Nexperia
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- Código RS:
- 153-2851
- Referência do fabricante:
- PMCM4401VNEAZ
- Fabricante:
- Nexperia
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 12V | |
| Serie | PMCM4401VNE | |
| Encapsulado | WLCSP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 120mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 12.5W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 810μm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 160μm | |
| Longitud | 810μm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V | ||
Serie PMCM4401VNE | ||
Encapsulado WLCSP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 120mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 12.5W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 810μm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 160μm | ||
Longitud 810μm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N ≤ 20 V. Las soluciones de conmutación óptimas para sus diseños portátiles. Elija entre una amplia gama de MOSFET de canal N individuales o dobles de hasta 20 V. Excelente fiabilidad gracias a nuestras fiables tecnologías TrenchMOS y de encapsulado Fáciles de usar, nuestros MOSFET de baja tensión están diseñados específicamente para satisfacer las exigencias de las aplicaciones portátiles con bajo nivel de tensión.
MOSFET de zanja de canal N, 12 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de tamaño de chip de nivel de oblea (WLCSP) de 4 resaltes con tecnología Trench MOSFET.
Baja tensión de umbral
Encapsulado ultrapequeño: 0,78 x 0,78 x 0,35 mm
Tecnología MOSFET Trench
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) > 2 kV HBM
Controlador de relé
Controlador de línea de alta velocidad
Interruptor de carga de lado bajo
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