MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PMPB215ENEAX, VDSS 80 V, ID 2.8 A, Mejora, DFN de 8 pines
- Código RS:
- 151-3200
- Referência do fabricante:
- PMPB215ENEAX
- Fabricante:
- Nexperia
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- Código RS:
- 151-3200
- Referência do fabricante:
- PMPB215ENEAX
- Fabricante:
- Nexperia
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 445mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 15.6W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 2.1 mm | |
| Altura | 0.65mm | |
| Longitud | 2.1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 445mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 15.6W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 2.1 mm | ||
Altura 0.65mm | ||
Longitud 2.1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de zanja de canal N individual, 80 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN2020MD-6 (SOT1220) sin plomo y de media potencia que utiliza tecnología Trench MOSFET
Tecnología MOSFET Trench
Encapsulado de plástico SMD pequeño, ultradelgado y sin plomo: 2 x 2 x 0,65 mm
Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica
Almohadillas laterales de soldadura estañadas 100% para inspección óptica
Certificación AEC-Q101
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