MOSFET Nexperia PMXB40UNEZ, VDSS 12 V, ID 3,2 A, DFN1010D-3 de 4 pines, , config. Simple

MOSFET de zanja de canal N, 12 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010D-3 (SOT1215) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET

Tecnología MOSFET Trench
Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y delgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica
Protección contra descarga electrostática (ESD): 1 kV
Resistencia de estado de fuente-drenador RDSon muy baja = 34 mΩ
Tensión de umbral muy baja de 0,65 V para aplicaciones portátiles
Interruptor de carga de lado bajo e interruptor de carga para dispositivos portátiles
Gestión de potencia en portátiles alimentados por batería
Controlador LED
Convertidores dc a dc