MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PMXB56ENZ, VDSS 30 V, ID 3.2 A, Mejora, DFN de 4 pines
- Código RS:
- 153-1892
- Referência do fabricante:
- PMXB56ENZ
- Fabricante:
- Nexperia
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- Código RS:
- 153-1892
- Referência do fabricante:
- PMXB56ENZ
- Fabricante:
- Nexperia
Especificações
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 87mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 8.33W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.36mm | |
| Longitud | 1.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 87mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 8.33W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.36mm | ||
Longitud 1.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N de 25 V - 30 V, Rendimiento robusto gracias a los conocimientos tecnológicos avanzados, MOSFET fáciles de usar en el rango de 25 V a 30 V. Perfectos para aplicaciones de espacio y potencia críticos y ofrecen un excelente rendimiento de conmutación y área de funcionamiento seguro (SOA) líder de su clase ¿Necesita una tensión nominal diferente? Consulte nuestra amplia oferta de productos para conocer más opciones.
MOSFET de zanja de canal N, 30 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010D-3 (SOT1215) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET
Tecnología MOSFET Trench
Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y delgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica
Resistencia de estado de fuente-drenador RDSon muy baja = 49 mΩ
Conmutación muy rápida
Interruptor de carga de lado bajo e interruptor de carga para dispositivos portátiles
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Convertidores dc a dc
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