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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Nexperia
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	3.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	DFN
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	87mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	8.33W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	3.6nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	0.36mm
	Longitud	1.15mm
	Anchura	1.05 mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Nexperia
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 3.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado DFN
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 87mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 8.33W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.6nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Altura 0.36mm
	Longitud 1.15mm
	Anchura 1.05 mm
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal N de 25 V - 30 V, Rendimiento robusto gracias a los conocimientos tecnológicos avanzados, MOSFET fáciles de usar en el rango de 25 V a 30 V. Perfectos para aplicaciones de espacio y potencia críticos y ofrecen un excelente rendimiento de conmutación y área de funcionamiento seguro (SOA) líder de su clase ¿Necesita una tensión nominal diferente? Consulte nuestra amplia oferta de productos para conocer más opciones.

MOSFET de zanja de canal N, 30 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010D-3 (SOT1215) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET

Tecnología MOSFET Trench

Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y delgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm

Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica

Resistencia de estado de fuente-drenador RDSon muy baja = 49 mΩ

Conmutación muy rápida

Interruptor de carga de lado bajo e interruptor de carga para dispositivos portátiles

Gestión de potencia en portátiles alimentados por batería

Controlador LED

Convertidores dc a dc

MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PMXB56ENZ, VDSS 30 V, ID 3.2 A, Mejora, DFN de 4 pines

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