MOSFET, N-Canal Vishay SI4848DY-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 2.7 A, Mejora, SOIC de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Sem stock actualmente
Lamentamos, mas não temos previsão para a reposição deste artigo
Código RS:
146-4444
Referência do fabricante:
SI4848DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

Si4848DY

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

95mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

3W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.55mm

Anchura

4mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

Libre de halógenos

MOSFET de potencia TrenchFET®

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.