MOSFET IXYS IXFK66N85X, VDSS 850 V, ID 66 A, TO-264 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 146-4244
- Referência do fabricante:
- IXFK66N85X
- Fabricante:
- IXYS
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- Código RS:
- 146-4244
- Referência do fabricante:
- IXFK66N85X
- Fabricante:
- IXYS
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 66 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 850 V | |
| Tipo de Encapsulado | TO-264 | |
| Serie | HiperFET | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 65 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 5.5V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 3.5V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 1,25 kW | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±30 V | |
| Ancho | 5.3mm | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Longitud | 20.3mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 230 nC a 10 V | |
| Tensión de diodo directa | 1.4V | |
| Altura | 26.3mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
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|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 66 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 850 V | ||
Tipo de Encapsulado TO-264 | ||
Serie HiperFET | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 65 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 5.5V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 3.5V | ||
Disipación de Potencia Máxima 1,25 kW | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente ±30 V | ||
Ancho 5.3mm | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Longitud 20.3mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 230 nC a 10 V | ||
Tensión de diodo directa 1.4V | ||
Altura 26.3mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Los MOSFET de alimentación de 850 V Ultra-Junction X-Class con diodos de cuerpo rápido constituyen una nueva gama de semiconductores de alimentación de IXYS Corporation. Estos resistentes dispositivos ofrecen las resistencias en funcionamiento más bajas del sector, lo que permite una densidad de potencia muy alta en aplicaciones de conversión de potencia de alta tensión. Desarrollados con el principio de compensación de carga y una tecnología de proceso patentada, los nuevos dispositivos de 850 V ofrecen las resistencias en funcionamiento más bajas (33 miliohmios en el encapsulado SOT-227 y 41 miliohmios en el PLUS264, por ejemplo), así como cargas de compuerta bajas y un rendimiento de dv/dt superior.
Niveles ultrabajos de resistencia en funcionamiento (RDS (ON)) y carga de compuerta (Qg)
Diodo de cuerpo rápido
Resistencia a dv/dt
Avalancha nominal
Baja inductancia de encapsulado
Encapsulados estándar internacionales
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