MOSFET IXYS, Tipo N, Tipo N-Canal IXTH12N65X2, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-247, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 146-1786
- Referência do fabricante:
- IXTH12N65X2
- Fabricante:
- IXYS
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- Código RS:
- 146-1786
- Referência do fabricante:
- IXTH12N65X2
- Fabricante:
- IXYS
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | X2-Class | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante, Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 300mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 180W | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17.7nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Anchura | 21.45 mm | |
| Altura | 5.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 16.24mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie X2-Class | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante, Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 300mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 180W | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17.7nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Anchura 21.45 mm | ||
Altura 5.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 16.24mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- US
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS X2-Class
La serie MOSFET de potencia de clase X2 de IXYS ofrece una resistencia y una carga de puerta significativamente reducidas en comparación con generaciones anteriores de MOSFET de potencia, lo que se traduce en pérdidas reducidas y mayor eficiencia operativa. Estos dispositivos robustos incorporan un diodo intrínseco y son adecuados para aplicaciones de conmutación dura y modo resonante. Los MOSFET de potencia de clase X2 están disponibles en una gran variedad de encapsulados estándar del sector, incluidos tipos aislados, con valores nominales de hasta 120 A a 650 V. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, accionamientos de motor ac y dc, fuentes de alimentación de modo conmutado y resonante, interruptores de dc, inversores solares, control de temperatura e iluminación.
Muy bajo RDS(on) y QG (carga de puerta)
Diodo rectificador intrínseco
Baja resistencia intrínseca de puerta
Inductancia de encapsulado baja
Encapsulados estándar del sector
Transistores MOSFET, IXYS
Una amplia gama de dispositivos MOSFET de potencia discreta avanzados de IXYS
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