MOSFET IXYS IXFQ60N50P3, VDSS 500 V, ID 60 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 146-1755
Referência do fabricante:: IXFQ60N50P3
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFQ60N50P3, VDSS 500 V, ID 60 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 146-1755
Referência do fabricante:: IXFQ60N50P3
Fabricante:: IXYS

IXFT60N50P3, IXFQ60N50P3, IXFH60N50P3, Polar3 HiperFET, Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	500 V
Tipo de Encapsulado	TO-3PN
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	100 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Disipación de Potencia Máxima	1,04 kW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	96 nC a 10 V
Longitud	15.8mm
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	4.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	20.3mm

MOSFET IXYS IXFQ60N50P3, VDSS 500 V, ID 60 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™