MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS7730TRLPBF, VDSS 75 V, ID 246 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 130-1007
- Referência do fabricante:
- IRFS7730TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 130-1007
- Referência do fabricante:
- IRFS7730TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 246A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 271nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.83mm | |
| Anchura | 9.65 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 246A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 271nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.83mm | ||
Anchura 9.65 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
Transistores MOSFET, Infineon
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