MOSFET Infineon IRF3808STRLPBF, VDSS 75 V, ID 106 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 145-8930
Referência do fabricante:: IRF3808STRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF3808STRLPBF, VDSS 75 V, ID 106 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 145-8930
Referência do fabricante:: IRF3808STRLPBF
Fabricante:: Infineon

IRF3808SPbF N-channel HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	106 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	75 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	7,5 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	200 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	150 nC a 10 V
Longitud	10.67mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Ancho	11.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.83mm
Tensión de diodo directa	1.3V

MOSFET Infineon IRF3808STRLPBF, VDSS 75 V, ID 106 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon