MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS4010TRLPBF, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 130-0999
- Referência do fabricante:
- IRFS4010TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
6,46 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 22 unidade(s) para enviar a partir do dia 29 de junho de 2026
- Mais 798 unidade(s) para enviar a partir do dia 06 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,23 € | 6,46 € |
| 20 - 48 | 2,84 € | 5,68 € |
| 50 - 98 | 2,645 € | 5,29 € |
| 100 - 198 | 2,45 € | 4,90 € |
| 200 + | 2,255 € | 4,51 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 130-0999
- Referência do fabricante:
- IRFS4010TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 143nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 143nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 180 A, disipación de potencia máxima de 375 W - IRFS4010TRLPBF
Este MOSFET de alta potencia ofrece un gran rendimiento en diversas aplicaciones, esencial para los sistemas electrónicos contemporáneos. Su funcionamiento en modo de mejora y su avanzada tecnología HEXFET proporcionan una gestión eficiente de la energía, lo que lo hace idóneo para aplicaciones que requieren un control fiable de la potencia.
Características y ventajas
• Admite una corriente de drenaje continua de hasta 180 A para cargas importantes
• Tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V para mayor flexibilidad
• La baja Rds(on) de 4,7mΩ minimiza la pérdida de potencia durante el funcionamiento
• Diseñado en una única configuración para facilitar la integración
• Soporta eficazmente temperaturas de hasta +175°C
• Conmutación de potencia a alta velocidad para un funcionamiento eficaz
Aplicaciones
• Utilizado en la rectificación síncrona para fuentes de alimentación conmutadas
• Adecuado para sistemas de alimentación ininterrumpida
• Aplicado en circuitos de conmutación dura y alta frecuencia
• Se utiliza en equipos de automatización que necesitan una gestión eficiente de la energía
• Se integra bien en diversos proyectos eléctricos y mecánicos
¿Cómo afecta la resistencia al rendimiento en aplicaciones de alta frecuencia?
Un Rds(on) bajo reduce notablemente la generación de calor y la pérdida de potencia, mejorando la eficiencia de los convertidores de potencia de alta frecuencia.
¿Qué tensión de puerta se necesita para garantizar un funcionamiento óptimo?
El dispositivo funciona eficazmente con una tensión puerta-fuente de entre 2V y 4V, recomendándose 10V para obtener la máxima eficiencia.
¿Es sencilla la instalación de este componente?
Sí, este MOSFET de montaje superficial está diseñado para una fácil colocación en placas de circuito impreso, lo que permite una configuración rápida y fiable en diversos dispositivos.
¿Puede gestionar eficazmente la temperatura?
Con una temperatura de unión operativa máxima de +175 °C, es adecuado para su uso en entornos que requieren un sólido rendimiento térmico.
¿Qué tipos de circuitos pueden beneficiarse de la incorporación de este componente?
Es ideal para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, circuitos de control de carga y sistemas de gestión de potencia en los campos de la automatización y la electricidad.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB180N10S403ATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 180 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 7 pines