MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD80R1K4P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
130-0906
Referência do fabricante:
IPD80R1K4P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

CoolMOS P7

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Tensión directa Vf

0.9V

Disipación de potencia máxima Pd

32W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.73mm

Altura

2.41mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

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