MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 104 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 124-9005
- Referência do fabricante:
- IRFB4115PBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 124-9005
- Referência do fabricante:
- IRFB4115PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 104A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 77nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 380W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Anchura | 4.83mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 9.02mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 104A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 77nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 380W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Anchura 4.83mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 9.02mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MX
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 150 V, corriente de drenaje continua máxima de 104 A - IRFB4115PBF
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de alta potencia diseñado para tareas de conmutación y conversión de potencia en sistemas electrónicos exigentes. Funciona en un amplio rango térmico adecuado para entornos exigentes y se suministra en un encapsulado TO-220 de orificio pasante para un disipador térmico y un montaje sencillos. El dispositivo proporciona una capacidad de corriente de drenaje continua sustancial y está diseñado para aplicaciones que requieren un manejo eficiente de alta corriente y un rendimiento de conmutación rápido.
Características y ventajas:
• La tensión de drenaje máxima de 150 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 104 A admite la manipulación de cargas pesadas
• La baja RDS(on) de 11 mΩ minimiza las pérdidas por conducción a alta corriente
• La disipación de potencia de 380 W permite una carga térmica sostenida
• La carga de puerta típica de 77 nC permite transiciones de conmutación rápidas
• La tensión directa de 1,3 V reduce la caída de conducción del diodo
• La corriente de drenaje continua de 104 A admite la manipulación de cargas pesadas
• La baja RDS(on) de 11 mΩ minimiza las pérdidas por conducción a alta corriente
• La disipación de potencia de 380 W permite una carga térmica sostenida
• La carga de puerta típica de 77 nC permite transiciones de conmutación rápidas
• La tensión directa de 1,3 V reduce la caída de conducción del diodo
Aplicaciones
• Adecuado para controladores de motor HEXFET MOSFET TO-220 de 150 V de Infineon
• Ideal para MOSFET de 150 V y 104 A para fuentes de alimentación de modo conmutado
• Se utiliza con circuitos MOSFET de mejora de canal N de alta potencia
• Se puede utilizar para etapas de potencia de MOSFET de orificio pasante TO-220 de 380 W
• Ideal para MOSFET de 150 V y 104 A para fuentes de alimentación de modo conmutado
• Se utiliza con circuitos MOSFET de mejora de canal N de alta potencia
• Se puede utilizar para etapas de potencia de MOSFET de orificio pasante TO-220 de 380 W
¿Qué límites de tensión de puerta deben observar los diseñadores?
El valor nominal de puerta a fuente es de ±20 V, por lo que los circuitos de accionamiento deben mantener el VGS dentro de ese rango para evitar daños en la puerta.
¿Cómo se comporta el dispositivo a temperaturas extremas?
Está especificado para funcionar de -55 °C a 175 °C, lo que garantiza que se mantengan las características eléctricas en esas condiciones ambientales y de unión.
¿Qué consideraciones de montaje y número de contactos se aplican?
El componente tiene tres contactos y está diseñado para montaje en orificio pasante en un formato TO-220 para facilitar una fijación segura del disipador térmico.
¿Qué canal y modo de conducción utiliza?
Se trata de un dispositivo de canal N que funciona en modo de mejora y requiere una puerta positiva con respecto a la fuente para activarse.
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