MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW70N60DM2, VDSS 600 V, ID 66 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 111-6487
- Referência do fabricante:
- STW70N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 111-6487
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 66A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 42mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 121nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 446W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Altura | 20.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 66A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 42mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 121nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 446W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.75mm | ||
Altura 20.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
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