MOSFET STMicroelectronics STW20NM60, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-247 de 3 pines

El MOSFET de potencia de STMicroelectronics asocia el proceso de drenaje múltiple con la disposición horizontal Power MESH de la empresa. El producto resultante tiene una resistencia de encendido extraordinariamente baja, una dv/dt impresionantemente alta y excelentes características de avalancha. La adopción de la técnica de bandas patentada por la empresa produce un rendimiento dinámico global significativamente mejor que el de productos similares de la competencia.

100% avalancha probada
Baja capacitancia de entrada y carga de puerta
Baja resistencia de entrada de puerta