MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 20 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
151-455
Referência do fabricante:
STW20NM60
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-247

Serie

MDmesh

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.29Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

50°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

34.95mm

Altura

5.15mm

Anchura

15.75 mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics asocia el proceso de drenaje múltiple con la disposición horizontal Power MESH de la empresa. El producto resultante tiene una resistencia de encendido extraordinariamente baja, una dv/dt impresionantemente alta y excelentes características de avalancha. La adopción de la técnica de bandas patentada por la empresa produce un rendimiento dinámico global significativamente mejor que el de productos similares de la competencia.

100% avalancha probada

Baja capacitancia de entrada y carga de puerta

Baja resistencia de entrada de puerta

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