MOSFET, Canal P-Canal Vishay SQ2361CEES-T1_NE3, VDSS -60 V, ID -2.8 A, P, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 878-891
- Referência do fabricante:
- SQ2361CEES-T1_NE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 fita de 1 unidade)*
0,29 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 01 de fevereiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Fita(s) | Por Fita |
|---|---|
| 1 + | 0,29 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 878-891
- Referência do fabricante:
- SQ2361CEES-T1_NE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -2.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -60V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | SQ | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.23Ω | |
| Modo de canal | P | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 2.64mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -2.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -60V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie SQ | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.23Ω | ||
Modo de canal P | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 2.64mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3.04mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- GB
El MOSFET de canal P de grado de automoción de Vishay proporciona capacidades de conmutación fiables y de alta eficiencia en condiciones hostiles. Diseñado para el rendimiento, funciona con una tensión máxima de drenaje-fuente de 60 V y una corriente de drenaje continua de 2,8 A.
La tecnología TrenchFET garantiza una eficiencia de conmutación óptima
Cumple la norma AEC-Q101, adecuada para aplicaciones de automoción
Resiste corrientes de drenaje continuas de hasta 2,8 A
Diseñado para una baja resistencia en estado activo, lo que reduce la pérdida de potencia
Ofrece una excelente protección ESD, con valor nominal de 800 V
Links relacionados
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQ2361CEES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID -2.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Canal P-Canal Vishay SQ2309CES-T1_NE3, VDSS -60 V, ID -1.7 A, P, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID -2.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo P-Canal Vishay SQ2361ES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQ2361CES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID -2.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET sencillos, Canal P-Canal Vishay SQJ457EP-T1_NE3, VDSS -60 V, ID -36 A, Modo de mejora, P de 8 pines
- MOSFET, Canal P-Canal Vishay SQJ951EP-T1_NE3, VDSS -30 V, ID -30 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal DiodesZetex DMG2302UKQ-7, VDSS 20 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines