MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 20 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 163-2192
- Referência do fabricante:
- MGSF2N02ELT1G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
225,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 03 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,075 € | 225,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 163-2192
- Referência do fabricante:
- MGSF2N02ELT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | MGSF2 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 115mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.25W | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.01mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie MGSF2 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 115mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.25W | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.4 mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.01mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia de canal N, 20 V, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi MGSF2N02ELT1G, VDSS 20 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDT86244, VDSS 150 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NDT014L, VDSS 60 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 20 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMG2302UK-7, VDSS 20 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID -2.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
