MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMYR140R019M2HXLSA1, VDSS 1400 V, ID 100 A, Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- Código RS:
- 762-947
- Referência do fabricante:
- IMYR140R019M2HXLSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 762-947
- Referência do fabricante:
- IMYR140R019M2HXLSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1400V | |
| Encapsulado | PG-TO247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 19mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 90nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 385W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 23.8mm | |
| Altura | 4.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1400V | ||
Encapsulado PG-TO247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 19mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 90nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 385W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 23.8mm | ||
Altura 4.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
El MOSFET CoolSiC 1400 V G2 SiC de Infineon tiene una tensión nominal de 1400 V y una capacidad de corriente de 147 A a 100 °C, con una baja resistencia de conexión de 8,5 mΩ. Admite un alto rendimiento térmico y puede resistir cortocircuitos durante 2 μs. El dispositivo está diseñado con una robusta protección parásita contra encendido y una alta distancia de fuga.
Pérdidas por conmutación muy bajas
Diodo de cuerpo robusto para conmutación dura
Contactos de alimentación amplios para alta capacidad de corriente
Contactos soldadables resistivos para conexiones directas de barras colectoras
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