MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZA75R008M1HXKSA1, VDSS 750 V, ID 163 A, PG-TO247-4, Mejora de 4 pines
- Código RS:
- 351-992
- Referência do fabricante:
- IMZA75R008M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 351-992
- Referência do fabricante:
- IMZA75R008M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 163A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 750V | |
| Potencia de salida | 517W | |
| Serie | IMZA75 | |
| Encapsulado | PG-TO247-4 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 5.1mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Anchura | 21.1 mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC for Industrial Applications | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 163A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 750V | ||
Potencia de salida 517W | ||
Serie IMZA75 | ||
Encapsulado PG-TO247-4 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 5.1mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Anchura 21.1 mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC for Industrial Applications | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET CoolSiC Automotive de Infineon está construido con la tecnología de carburo de silicio sólido. Ofrece una ventaja en rendimiento, fiabilidad y robustez, con flexibilidad de control de puerta, lo que permite un diseño de sistema simplificado y rentable para conseguir la máxima eficiencia y densidad de potencia.
Eficacia superior en conmutación dura (hard-switching)
Permite una mayor frecuencia de conmutación
Mayor fiabilidad
Robustez frente al giro parásito
Conducción unipolar
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