MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMZC140R029M2HXKSA1, VDSS 1400 V, ID 65 A, Mejora, TO-247-4 de 4 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

12,24 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 240 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
1 - 912,24 €
10 - 2411,02 €
25 +9,06 €

*preço indicativo

Código RS:
762-926
Referência do fabricante:
IMZC140R029M2HXKSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

65A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1400V

Encapsulado

TO-247-4

Serie

CoolSiC

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

29mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

54nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

288W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

5.1mm

Longitud

23.5mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET SiC G2 CoolSiC de 1400 V de Infineon es un MOSFET de carburo de silicio con tecnología de interconexión .XT. Utiliza la tecnología de interconexión .XT para el mejor rendimiento térmico de su clase y un diodo de cuerpo robusto para la conmutación dura.

Funcionamiento a alta temperatura

Apto para conmutación dura

Gestión térmica fiable

Rendimiento mejorado

Mayor eficiencia

Controlador de puerta optimizado

Apto para electrónica de potencia

Links relacionados