MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMZA40R045M2HXKSA1, VDSS 400 V, ID 40 A, Mejora, TO-247-4 de 4 pines
- Código RS:
- 762-913
- Referência do fabricante:
- IMZA40R045M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
5,75 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 240 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,75 € |
| 10 - 49 | 4,66 € |
| 50 - 99 | 3,56 € |
| 100 + | 2,86 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 762-913
- Referência do fabricante:
- IMZA40R045M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 400V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Encapsulado | TO-247-4 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 4.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 21nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 130W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 5.1mm | |
| Longitud | 21.1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 400V | ||
Serie CoolSiC | ||
Encapsulado TO-247-4 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 4.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 130W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 5.1mm | ||
Longitud 21.1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET CoolSiC de Infineon es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona y dispone de tensión de umbral de puerta de referencia. Además, dispone de tecnología de interconexión XT para ofrecer el mejor rendimiento térmico de su clase.
100 % a prueba de avalancha
Tensión de control de puerta recomendada
Calificado para aplicaciones industriales
Se utiliza para almacenamiento de energía, SAI y formación de baterías
Links relacionados
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMZC140R024M2HXKSA1, VDSS 1400 V, ID 74 A, Mejora, TO-247-4 de 4 pines
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMZC140R019M2HXKSA1, VDSS 25 V, ID 92 A, Mejora, TO-247-4 de 4 pines
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMZA40R015M2HXKSA1, VDSS 400 V, ID 99 A, Mejora, TO-247-4 de 4 pines
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMZA40R025M2HXKSA1, VDSS 400 V, ID 65 A, Mejora, TO-247-4 de 4 pines
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMZC140R029M2HXKSA1, VDSS 1400 V, ID 65 A, Mejora, TO-247-4 de 4 pines
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMZA40R036M2HXKSA1, VDSS 400 V, ID 46 A, Mejora, TO-247-4 de 4 pines
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMZC140R038M2HXKSA1, VDSS 25 V, ID 52 A, Mejora, TO-247-4 de 4 pines
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMZA65R075M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 26.6 A, Mejora, TO-247-4 de 4 pines