MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQ3481CEV-T1_GE3, VDSS -30 V, ID 7.5 A, Mejora, TSOP-6 de 6 pines
- Código RS:
- 653-166
- Referência do fabricante:
- SQ3481CEV-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
612,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 22 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,204 € | 612,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 653-166
- Referência do fabricante:
- SQ3481CEV-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -30V | |
| Encapsulado | TSOP-6 | |
| Serie | SQ3481CEV | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.043Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 4W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 2.98 mm | |
| Longitud | 3.10mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V | ||
Encapsulado TSOP-6 | ||
Serie SQ3481CEV | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.043Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 4W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 2.98 mm | ||
Longitud 3.10mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de canal P de grado de automoción Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación compactas y de baja tensión. Admite tensión de fuente de drenaje de hasta 30 V y funciona de manera fiable a temperaturas de unión de hasta 175 °C. Envasado en un formato TSOP-6, utiliza la tecnología TrenchFET para un rendimiento eficiente en entornos de espacio limitado.
Con cualificación AEC Q101
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
Links relacionados
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay, VDSS -30 V, ID 7.5 A, Mejora, TSOP-6 de 6 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SQ3426CEEV-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 7 A, Mejora, TSOP-6 de 6 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 7 A, Mejora, TSOP-6 de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQ3419EV-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 7.4 A, Mejora, TSOP-6 de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQ3495EV-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQ3493EV-T1_GE3, VDSS 20 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQ3427CEV-T1_GE3, VDSS -40 V, ID 6.9 A, Mejora, PowerPAK de 6 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQ3419CEV-T1_GE3, VDSS -40 V, ID 6.9 A, Mejora, SOT-23 de 6 pines