MOSFET, Canal P-Canal Vishay SQJQ181EL-T1_GE3, VDSS -80 V, ID -175 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines

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Código RS:
735-252
Referência do fabricante:
SQJQ181EL-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-175A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-80V

Encapsulado

PowerPAK (8x8L)

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.012Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

348W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

153nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

8mm

Anchura

7.9 mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
CN

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