MOSFET, N-Canal Vishay SIHK045N60E-T1GE3, VDSS 650 V, ID 48 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 4 pines

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Código RS:
735-154
Referência do fabricante:
SIHK045N60E-T1GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

48A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Serie

SiH

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.043Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

600V

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

65nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

13mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

10mm

Altura

2mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
IL
MOSFET de canal N de Vishay con valor nominal para tensión de drenaje-fuente de 60 V, optimizado para conmutación de alta eficiencia en convertidores dc/dc de servidor de potencia de IA y circuitos de rectificación síncronos. Alcanza una resistencia de conexión muy baja de 1,7 mΩ máximo a un accionamiento de puerta de 10 V para pérdidas de conducción mínimas en aplicaciones de alta corriente

Corriente de drenaje continua de 94 A a TA=25 °C

Carga de puerta total típica de 54,3 nC para una conmutación rápida

Rango de temperaturas de unión ampliado de -55 °C a +175 °C

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