MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiSD5300DN, VDSS 30 V, ID 198 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 unidade)*

1,63 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 08 de março de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
1 +1,63 €

*preço indicativo

Código RS:
735-152
Referência do fabricante:
SiSD5300DN
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

198A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SiS

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00087Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

59nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16V

Tensión directa Vf

30V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

4mm

Altura

1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
IL
MOSFET de canal N de Vishay con valor nominal para tensión de drenaje-fuente de 60 V, optimizado para conmutación de alta eficiencia en convertidores dc/dc de servidor de potencia de IA y circuitos de rectificación síncronos. Alcanza una resistencia de conexión muy baja de 1,7 mΩ máximo a un accionamiento de puerta de 10 V para pérdidas de conducción mínimas en aplicaciones de alta corriente

Corriente de drenaje continua de 94 A a TA=25 °C

Carga de puerta total típica de 54,3 nC para una conmutación rápida

Rango de temperaturas de unión ampliado de -55 °C a +175 °C

Links relacionados