MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STH345N6F7-6, VDSS 60 V, ID 397 A, Mejora, H2PAK de 6 pines
- Código RS:
- 719-654
- Referência do fabricante:
- STH345N6F7-6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 719-654
- Referência do fabricante:
- STH345N6F7-6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 397A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | H2PAK | |
| Serie | STH | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 230nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 341W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.7mm | |
| Longitud | 9.3mm | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 397A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado H2PAK | ||
Serie STH | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 230nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 341W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.7mm | ||
Longitud 9.3mm | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de trinchera mejorada que resulta en una resistencia de estado encendido muy baja, al tiempo que reduce la capacidad interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
Uno de los RDS(on) más bajos del mercado
Excelente FoM (cifra de mérito)
Baja relación Crss/Ciss para inmunidad a EMI
Alta robustez ante avalanchas
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