MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STH345N6F7-2, VDSS 60 V, ID 397 A, Mejora, H2PAK-2 de 2 pines
- Código RS:
- 719-652
- Referência do fabricante:
- STH345N6F7-2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 unidade)*
3,32 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 300 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 + | 3,32 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 719-652
- Referência do fabricante:
- STH345N6F7-2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 397A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | H2PAK-2 | |
| Serie | STH | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 2 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 230nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 341W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 10.4mm | |
| Longitud | 9.3mm | |
| Altura | 4.7mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 397A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado H2PAK-2 | ||
Serie STH | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 2 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 230nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 341W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 10.4mm | ||
Longitud 9.3mm | ||
Altura 4.7mm | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de trinchera mejorada que resulta en una resistencia de estado encendido muy baja, al tiempo que reduce la capacidad interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
Uno de los RDS(on) más bajos del mercado
Excelente FoM (cifra de mérito)
Baja relación Crss/Ciss para inmunidad a EMI
Alta robustez ante avalanchas
Links relacionados
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STH345N6F7-2, VDSS 60 V, ID 397 A, Mejora, H2PAK-2 de 2 pines
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STH345N6F7-6, VDSS 60 V, ID 397 A, Mejora, H2PAK de 6 pines
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STH280N10F8-2, VDSS 100 V, ID 292 A, Modo de mejora, H2PAK-2 de 3
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STH8N120K5-2AG, VDSS 1200 V, ID 6 A, Modo de mejora, H2PAK-2 de 3
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STH285N10F8-2AG, VDSS 100 V, ID 292 A, Modo de mejora, H2PAK-2 de 3
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STH285N10F8-6AG, VDSS 100 V, ID 292 A, Modo de mejora, H2PAK de 3
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STH280N10F8-6, VDSS 100 V, ID 292 A, Modo de mejora, H2PAK de 3
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics SCT018H65G3-7, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines