MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Infineon IGL65R110D2XUMA1, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 690-444
- Referência do fabricante:
- IGL65R110D2XUMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
8,38 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 2998 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,19 € | 8,38 € |
| 20 - 98 | 3,395 € | 6,79 € |
| 100 - 198 | 2,59 € | 5,18 € |
| 200 + | 2,08 € | 4,16 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 690-444
- Referência do fabricante:
- IGL65R110D2XUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Legislação e Conformidade
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolGaN G5 | |
| Encapsulado | PG-TSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 110mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.4nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, ISO 128-30 | |
| Altura | 1.1mm | |
| Longitud | 8mm | |
| Anchura | 8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolGaN G5 | ||
Encapsulado PG-TSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 110mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.4nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, ISO 128-30 | ||
Altura 1.1mm | ||
Longitud 8mm | ||
Anchura 8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Links relacionados
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Infineon IGL65R055D2XUMA1, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Infineon IGL65R140D2XUMA1, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Infineon IGL65R080D2XUMA1, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGLR65R140D2XUMA1, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGLR65R270D2XUMA1, VDSS 650 V, ID 7.2 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGLR65R200D2XUMA1, VDSS 650 V, ID 9.2 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Infineon IGC033S10S1, VDSS 100 V, ID 76 A, Mejora, PG-TSON-6-2 de 6 pines
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal ISC030N12NM6ATMA1, VDSS 120 V, PG-TSON-8, Mejora de 8 pines, 1