MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGLR65R140D2XUMA1, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 351-876
- Referência do fabricante:
- IGLR65R140D2XUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
16,81 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 4995 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,362 € | 16,81 € |
| 50 - 95 | 3,194 € | 15,97 € |
| 100 + | 2,958 € | 14,79 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 351-876
- Referência do fabricante:
- IGLR65R140D2XUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | IGLR65 | |
| Encapsulado | PG-TSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.17Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 47W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.8nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC for Industrial Applications | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie IGLR65 | ||
Encapsulado PG-TSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.17Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 47W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.8nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC for Industrial Applications | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Este transistor de potencia GaN de Infineon permite aumentar la eficiencia en operaciones de alta frecuencia. Como parte de la familia CoolGaN 650 V G5, cumple los más altos estándares de calidad, lo que permite diseños altamente fiables con una eficiencia superior. Alojado en un encapsulado ThinPAK refrigerado por la parte inferior, es idóneo para aplicaciones industriales y de consumo con factores de forma delgados.
Transistor de potencia de modo electrónico de 650 V
Conmutación ultrarrápida
Sin carga de recuperación inversa
Capacidad de conducción inversa
Baja carga de puerta, baja carga de salida
Mayor robustez de conmutación
RDS(on) dinámica baja
Alta robustez ESD: 2 kV HBM - 1 kV CDM
Encapsulado refrigerado por la parte inferior
Cualificación JEDEC (JESD47, JESD22)
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGLR65R270D2XUMA1, VDSS 650 V, ID 7.2 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGLR65R200D2XUMA1, VDSS 650 V, ID 9.2 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Infineon IGL65R110D2XUMA1, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Infineon IGL65R140D2XUMA1, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Infineon IGL65R080D2XUMA1, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Infineon IGL65R055D2XUMA1, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGT65R140D2ATMA1, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal ISC030N12NM6ATMA1, VDSS 120 V, PG-TSON-8, Mejora de 8 pines, 1