MOSFET sencillos, Tipo P, Tipo N-Canal ROHM SH8MD5HTB1, VDSS 80 V, Mejora, SOP-8 de 8 pines
- Código RS:
- 687-485
- Referência do fabricante:
- SH8MD5HTB1
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 687-485
- Referência do fabricante:
- SH8MD5HTB1
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | SOP-8 | |
| Serie | SH8MD5HT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 167mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.0W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.3mm | |
| Altura | 1.75mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 5.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado SOP-8 | ||
Serie SH8MD5HT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 167mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.0W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.3mm | ||
Altura 1.75mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 5.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de canal N y canal P de ROHM está diseñado para una gestión eficiente de la potencia en aplicaciones electrónicas. Este dispositivo destaca por su baja resistencia de conexión y su importante capacidad de disipación de potencia, lo que lo convierte en una opción ideal para aplicaciones de accionamiento de motores. Con configuraciones de canal N y canal P, permite diseños de circuitos versátiles en encapsulados SOP8 compactos. La robusta construcción del MOSFET garantiza que cumpla los estrictos requisitos de fiabilidad y conformidad, incluidas las certificaciones RoHS y sin halógenos, que son esenciales para los componentes electrónicos modernos.
La baja resistencia de encendido mejora la eficiencia y el rendimiento térmico
El encapsulado compacto SOP8 proporciona soluciones que ahorran espacio para diseños de placas de circuito impreso
Sin plomo y conforme a la directiva RoHS, lo que garantiza una fabricación responsable con el medio ambiente
La construcción sin halógenos fomenta la seguridad y la sostenibilidad
Apto tanto para aplicaciones de canal N como de canal P, ofrece flexibilidad de diseño
Funcionamiento fiable con pruebas al 100 % Rg y UIS para garantizar la alta calidad
Valores de avalancha excepcionales para un manejo robusto de condiciones transitorias.
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