MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM RS7N160BHTB1, VDSS 80 V, ID 160 A, Mejora, DFN5060-8S de 8 pines
- Código RS:
- 646-624
- Referência do fabricante:
- RS7N160BHTB1
- Fabricante:
- ROHM
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 fita de 2 unidades)*
5,09 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 100 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Fita* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,545 € | 5,09 € |
| 20 - 98 | 2,245 € | 4,49 € |
| 100 - 198 | 2,015 € | 4,03 € |
| 200 + | 1,595 € | 3,19 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 646-624
- Referência do fabricante:
- RS7N160BHTB1
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 160A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | DFN5060-8S | |
| Serie | RS7N160 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 160W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 73nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | Halogen Free, RoHS, Pb Free | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 160A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado DFN5060-8S | ||
Serie RS7N160 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 160W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 73nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares Halogen Free, RoHS, Pb Free | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia ROHM con resistencia de conexión baja y encapsulado de alta potencia adecuado para conmutación, accionamientos de motor y convertidor dc/dc.
Chapado sin Pd
Conforme a RoHS
Sin halógenos
100% Rg y UIS probado
Links relacionados
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM RS7N200BHTB1, VDSS 80 V, ID 230 A, Mejora, DFN5060-8S de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM RS7E200BGTB1, VDSS 30 V, ID 390 A, Mejora, DFN5060-8S de 8 pines
- MOSFET sencillos, Doble N-Canal ROHM HT8MD5HTB1, VDSS 80 V, Mejora, HSMT-8 de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM RX3N10BBHC16, VDSS 80 V, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM RX3N07BBHC16, VDSS 80 V, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3N045ATTL1, VDSS 80 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3N03BATTL1, VDSS 80 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM RJ1N04BBHTL1, VDSS 80 V, Mejora, TO-263AB-3LSHYAD de 3 pines