MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM AG086FGD3HRBTL, VDSS 40 V, ID 80 A, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- Código RS:
- 687-456
- Referência do fabricante:
- AG086FGD3HRBTL
- Fabricante:
- ROHM
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | AG086FGD3HRB | |
| Encapsulado | TO-252 (TL) | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 76W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.50mm | |
| Altura | 2.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie AG086FGD3HRB | ||
Encapsulado TO-252 (TL) | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 76W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.50mm | ||
Altura 2.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de ROHM está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento, con una estructura robusta que garantiza fiabilidad y eficacia. Con una tensión máxima de drenaje-fuente de 40 V y capaz de manejar corrientes continuas de hasta 80 A, este dispositivo es una solución óptima para sistemas de automoción y otros entornos exigentes. Su baja resistencia de conexión de solo 4,1 mΩ facilita una pérdida de potencia mínima durante el funcionamiento, lo que la hace especialmente beneficiosa para las tareas de gestión de la energía. Completamente cualificado por la norma AEC-Q101, este MOSFET cumple las estrictas normas de automoción, lo que garantiza una calidad constante para aplicaciones exigentes. El producto admite una disipación térmica eficiente, lo que permite una disipación de potencia máxima de 76 W, al tiempo que mantiene un amplio rango de temperaturas de funcionamiento.
La baja resistencia de encendido de 4,1 mΩ mejora la eficiencia energética
La certificación AEC Q101 garantiza la fiabilidad para automoción
La corriente de drenaje continua máxima de 80 A se adapta a aplicaciones de alta carga
La capacidad de corriente de drenaje pulsado alcanza los 160 A para manejar cargas transitorias
Admite tensión de fuente de puerta de ±20 V para un control flexible
Certificación de avalancha para mayor seguridad operativa
La especificación de resistencia térmica ayuda a una gestión eficaz del calor
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