MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM AG185FGD3HRBTL, VDSS -40 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- Código RS:
- 687-438
- Referência do fabricante:
- AG185FGD3HRBTL
- Fabricante:
- ROHM
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 fita de 2 unidades)*
2,48 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 100 unidade(s) a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Fita* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,24 € | 2,48 € |
| 20 - 48 | 1,09 € | 2,18 € |
| 50 - 198 | 0,985 € | 1,97 € |
| 200 - 998 | 0,79 € | 1,58 € |
| 1000 + | 0,775 € | 1,55 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 687-438
- Referência do fabricante:
- AG185FGD3HRBTL
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -40V | |
| Serie | AG185FGD3HRB | |
| Encapsulado | TO-252 (TL) | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 96W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.50mm | |
| Anchura | 6.80 mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS | |
| Altura | 2.3mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -40V | ||
Serie AG185FGD3HRB | ||
Encapsulado TO-252 (TL) | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 96W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.50mm | ||
Anchura 6.80 mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS | ||
Altura 2.3mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal N de ROHM está diseñado para aplicaciones de automoción. Este dispositivo está diseñado para proporcionar una conmutación eficiente con una tensión máxima de drenaje-fuente de 40 V y una corriente de drenaje continua de 80 A. Presenta una baja resistencia de conexión, que garantiza una pérdida de potencia mínima durante el funcionamiento, lo que contribuye a mejorar la gestión térmica y el rendimiento en entornos exigentes. Con una capacidad de disipación de potencia de 96 W, este MOSFET es adecuado para diversas aplicaciones que requieren un rendimiento fiable y robusto. Su chapado sin plomo y su conformidad con la directiva RoHS ponen de relieve el compromiso de la empresa con una fabricación respetuosa con el medio ambiente. Esta pieza cuenta con la certificación AEC-Q101, lo que garantiza que cumple las estrictas normas de automoción de fiabilidad y seguridad.
La baja resistencia de encendido de 3,2 mΩ maximiza la eficiencia y reduce la generación de calor
Valor nominal para una corriente de drenaje continua de 80 A, adecuada para aplicaciones robustas
Proporciona una alta capacidad de disipación de potencia de 96 W para tareas exigentes
Diseñado para una tensión máxima de drenaje-fuente de 40 V, lo que garantiza su versatilidad en las aplicaciones
Certificación AEC Q101, que garantiza una alta fiabilidad en uso en automoción
El chapado sin plomo y el cumplimiento de la directiva RoHS reflejan una producción respetuosa con el medio ambiente
Apto para diversos sistemas de automoción, mejora el rendimiento y la vida útil del sistema
Cuenta con un encapsulado DPAK compacto para un uso eficiente del espacio en los diseños de placas de circuito impreso
Links relacionados
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3E08BBJHRBTL, VDSS -30 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM AG502EED3HRBTL, VDSS -30 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM RD3L08DBKHRBTL, VDSS 60 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM RD3G08DBKHRBTL, VDSS 40 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3E07BBJHRBTL, VDSS -30 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3L04BBJHRBTL, VDSS 60 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3N045ATTL1, VDSS 80 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM AG091FLD3HRBTL, VDSS 60 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines