MOSFET sencillos, N-Canal ROHM RJ1N04BBHTL1, VDSS 80 V, Mejora, TO-263AB-3LSHYAD de 3 pines
- Código RS:
- 687-400
- Referência do fabricante:
- RJ1N04BBHTL1
- Fabricante:
- ROHM
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 fita de 2 unidades)*
7,68 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 100 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Fita* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,84 € | 7,68 € |
| 20 - 98 | 3,385 € | 6,77 € |
| 100 - 198 | 3,035 € | 6,07 € |
| 200 + | 2,39 € | 4,78 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 687-400
- Referência do fabricante:
- RJ1N04BBHTL1
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TO-263AB-3LSHYAD | |
| Serie | RJ1N04BBHT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 89W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.77mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 15.5mm | |
| Anchura | 10.36mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TO-263AB-3LSHYAD | ||
Serie RJ1N04BBHT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 89W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.77mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 15.5mm | ||
Anchura 10.36mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de canal N de ROHM está diseñado para ofrecer una eficiencia excepcional en aplicaciones exigentes. Con una tensión máxima de drenaje-fuente de 80 V y una corriente de drenaje continua de 100 A, está diseñado para tareas de conmutación eficaces en diversos circuitos, por lo que es ideal para accionamientos de motor y convertidores dc/dc. Su baja resistencia de conexión de 5,3 mΩ garantiza que la pérdida de energía se minimice, lo que se traduce en una mejor gestión térmica y un funcionamiento fiable en condiciones de alta potencia. Conforme a las normas RoHS, este dispositivo no solo cumple los requisitos medioambientales, sino que también garantiza una alta fiabilidad y seguridad para los usuarios finales en diversos sectores electrónicos.
Baja resistencia de encendido para una gestión eficaz de la energía y una carga térmica reducida
Capaz de manejar corrientes de drenaje continuas de ±100 A, ideal para diseños de alto rendimiento
Pruebas exhaustivas de robustez, incluidas pruebas al 100 % Rg y UIS
El chapado sin plomo garantiza el cumplimiento de las normas ambientales internacionales
La estructura sin halógenos contribuye a la sostenibilidad medioambiental
Especificaciones de embalaje resistente, incluida cinta en relieve para un transporte y almacenamiento fiables
El rango de temperaturas de funcionamiento de –55 a +150 °C proporciona flexibilidad operativa en diversos entornos
Links relacionados
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM RJ1R04BBHTL1, VDSS 150 V, Mejora, TO-263AB de 3 pines
- MOSFET, Canal N-Canal ROHM RJ1G10BBGTL1, VDSS 40 V, ID 280 A, TO-263AB-3LSHYAD de 3 pines
- MOSFET, Canal N-Canal ROHM RJ1L10BBGTL1, VDSS 60 V, ID 240 A, TO-263AB-3LSHYAD de 3 pines
- MOSFET ROHM, Tipo N-Canal RJ1P04BBHTL1, VDSS 100 V, ID 80 A, TO-263AB, Mejora de 3 pines, 1
- MOSFET ROHM, Tipo N-Canal RJ1P10BBHTL1, VDSS 100 V, ID 170 A, TO-263AB, Mejora de 3 pines, 1
- MOSFET ROHM, Tipo N-Canal RJ1P07CBHTL1, VDSS 100 V, ID 120 A, TO-263AB, Mejora de 3 pines, 1
- MOSFET ROHM, Tipo N-Canal RJ1R10BBHTL1, VDSS 150 V, ID 105 A, TO-263AB, Mejora de 3 pines, 1
- MOSFET sencillos, Doble N-Canal ROHM HT8MD5HTB1, VDSS 80 V, Mejora, HSMT-8 de 8 pines