MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 119 A, Mejora, Hip-247 de 4 pines
- Código RS:
- 213-3943
- Referência do fabricante:
- SCTWA90N65G2V-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 213-3943
- Referência do fabricante:
- SCTWA90N65G2V-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 119A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SCTWA90N65G2V-4 | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 24mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 656W | |
| Tensión directa Vf | 2.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 157nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 21.1 mm | |
| Altura | 5.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 119A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SCTWA90N65G2V-4 | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 24mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 656W | ||
Tensión directa Vf 2.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 157nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Longitud 15.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 21.1 mm | ||
Altura 5.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
High speed switching performance
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency
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