MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQJ131ELP-T1_GE3, VDSS -30 V, ID -300 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- Código RS:
- 653-168
- Referência do fabricante:
- SQJ131ELP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
2 724,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 07 de dezembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,908 € | 2 724,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 653-168
- Referência do fabricante:
- SQJ131ELP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -300A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -30V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | SQJ131ELP | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0030Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 207nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -300A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie SQJ131ELP | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0030Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 207nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de canal P de grado de automoción Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en entornos compactos y térmicamente exigentes. Admite hasta 30 V de tensión de fuente de drenaje a 175 °C, lo que lo convierte en ideal para sistemas de alimentación de automoción robustos. Envasado en PowerPAK SO-8L, utiliza la tecnología TrenchFET para un RDS(on) ultrabajo y un rendimiento térmico optimizado.
Con cualificación AEC Q101
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
Links relacionados
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay, VDSS -30 V, ID -300 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQJ141ELP-T1_GE3, VDSS -40 V, ID -232 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQJA61EP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID -54.5 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQ3427CEV-T1_GE3, VDSS -40 V, ID 6.9 A, Mejora, PowerPAK de 6 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQS201CENW-T1_GE3, VDSS 100 V, ID -16 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQJ185ELP-T1_GE3, VDSS -40 V, ID -232 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQJ443AEP-T1_GE3, VDSS -40 V, ID 24 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay, VDSS -40 V, ID -232 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines