MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQJ131ELP-T1_GE3, VDSS -30 V, ID -300 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

2 727,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 17 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 +0,909 €2 727,00 €

*preço indicativo

Código RS:
653-168
Referência do fabricante:
SQJ131ELP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

-300A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SQJ131ELP

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0030Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

500W

Tensión directa Vf

-1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

207nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.9 mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de canal P de grado de automoción Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en entornos compactos y térmicamente exigentes. Admite hasta 30 V de tensión de fuente de drenaje a 175 °C, lo que lo convierte en ideal para sistemas de alimentación de automoción robustos. Envasado en PowerPAK SO-8L, utiliza la tecnología TrenchFET para un RDS(on) ultrabajo y un rendimiento térmico optimizado.

Con cualificación AEC Q101

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

Links relacionados