MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 150 V, ID 119 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 fita de 1 unidade)*

3,05 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 6000 unidade(s) para enviar a partir do dia 19 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Fita(s)
Por Fita
1 - 93,05 €
10 - 242,96 €
25 - 992,90 €
100 - 4992,47 €
500 +2,33 €

*preço indicativo

Código RS:
653-131
Referência do fabricante:
SIRS5702DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

119A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

SIRS5702DP

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0072Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

44nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

245W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.10mm

Anchura

5.10 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.95mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alta densidad de potencia. Admite hasta 150 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK SO-8S, utiliza la tecnología TrenchFET Gen V para proporcionar un RDS(on) ultrabajo, una carga de puerta reducida y un excelente rendimiento térmico.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

Links relacionados