MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay, VDSS -40 V, ID 24 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- Código RS:
- 653-065
- Referência do fabricante:
- SQJ443AEP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 fita de 1 unidade)*
0,73 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 2987 unidade(s) para enviar a partir do dia 08 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Fita(s) | Por Fita |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,73 € |
| 25 - 99 | 0,72 € |
| 100 - 499 | 0,70 € |
| 500 - 999 | 0,60 € |
| 1000 + | 0,56 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 653-065
- Referência do fabricante:
- SQJ443AEP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -40V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | SQJ443 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.025Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 70nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 27W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -40V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie SQJ443 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.025Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 27W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de canal P de grado de automoción de Vishay está diseñado para una conmutación eficiente en entornos sensibles a la potencia. Admite tensión de fuente de drenaje de hasta 40 V y funciona de manera fiable a temperaturas de unión de hasta 175 °C. Construido con tecnología TrenchFET, se suministra en un encapsulado compacto PowerPAK SO-8L para un rendimiento térmico y eléctrico optimizado.
Con cualificación AEC Q101
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
Links relacionados
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQJ443AEP-T1_GE3, VDSS -40 V, ID 24 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay, VDSS -40 V, ID -232 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay, VDSS -40 V, ID 6.9 A, Mejora, PowerPAK de 6 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID -54.5 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay, VDSS -30 V, ID -300 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID -16 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQJ131ELP-T1_GE3, VDSS -30 V, ID -300 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQJ141ELP-T1_GE3, VDSS -40 V, ID -232 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines