MOSFET, N-Canal Nexperia BSH108,215, VDSS 30 V, ID 1.9 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
509-324
Referência do fabricante:
BSH108,215
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

BSH108

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

120mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.5V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Disipación de potencia máxima Pd

830mW

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.4mm

Altura

1mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, hasta 30V


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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