MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDN357N, VDSS 30 V, ID 1.9 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 671-0441
- Referência do fabricante:
- FDN357N
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
2,04 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 20 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Mais 660 unidade(s) para enviar a partir do dia 27 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,408 € | 2,04 € |
| 50 - 95 | 0,352 € | 1,76 € |
| 100 - 495 | 0,304 € | 1,52 € |
| 500 - 995 | 0,268 € | 1,34 € |
| 1000 + | 0,244 € | 1,22 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 671-0441
- Referência do fabricante:
- FDN357N
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | FDN357N | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 600mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Altura | 0.94mm | |
| Longitud | 2.92mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie FDN357N | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 600mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.2nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.4 mm | ||
Altura 0.94mm | ||
Longitud 2.92mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 1.9 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 1.9 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTR4502PT1G, VDSS 30 V, ID 1.9 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 1.9 A, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo P-Canal FDC6306P, VDSS 20 V, ID 1.9 A, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 1.9 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 100 V, ID 1.9 A, Mejora, SOT-23 de 6 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex ZXMN10A08E6TA, VDSS 100 V, ID 1.9 A, Mejora, SOT-23 de 6 pines
