MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT040W65G3-4, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora de 4 pines
- Código RS:
- 366-221
- Referência do fabricante:
- SCT040W65G3-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 366-221
- Referência do fabricante:
- SCT040W65G3-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Frecuencia de Funcionamiento | 1 MHz | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Potencia de salida | 240W | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SCT | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Altura | 5.1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 20.1mm | |
| Anchura | 15.9 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Frecuencia de Funcionamiento 1 MHz | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Potencia de salida 240W | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SCT | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Altura 5.1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 20.1mm | ||
Anchura 15.9 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El dispositivo de alimentación MOSFET en carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la avanzada e innovadora tecnología SiC MOSFET de 3ª generación de ST. El dispositivo presenta una RDS(on) muy baja en todo el rango de temperaturas, combinada con capacitancias bajas y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en cuanto a frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.
RDS(on) muy baja en todo el rango de temperaturas
Alto rendimiento de conmutación
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Capacidad de temperatura de unión de funcionamiento muy elevada
Pin de detección de fuente para mayor eficacia
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