MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQD063N15NM5CGSCATMA1, VDSS 150 V, ID 151 A, Mejora, PG-WHTFN-9 de 9 pines

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Código RS:
351-911
Referência do fabricante:
IQD063N15NM5CGSCATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

151A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

PG-WHTFN-9

Serie

IQD0

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

9

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.32mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

48nC

Tensión directa Vf

0.83V

Disipación de potencia máxima Pd

333W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC

Altura

0.75mm

Anchura

6 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
MY
Este MOSFET de potencia de Infineon viene con una baja RDS(on) de 6,32 mΩ combinada con un rendimiento térmico excepcional para una fácil gestión de las pérdidas de energía. El tamaño de la versión Centre-Gate está optimizado para conexión en paralelo. Además, con el paquete de refrigeración de doble cara se puede disipar cinco veces más potencia que con el encapsulado sobremoldeado. Esto permite una mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia para una gran variedad de aplicaciones finales.

Tecnología de silicio de 150 V de vanguardia

FOM destacados

Rendimiento térmico mejorado

Parásitos ultrabajos

Relación chip/paquete maximizada

Tamaño de Center-Gate

Encapsulado estándar de la industria

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