MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE013N04LM6CGSCATMA1, VDSS 40 V, ID 205 A, Mejora, WHTFN de 9 pines
- Código RS:
- 260-1077
- Referência do fabricante:
- IQE013N04LM6CGSCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
5,42 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 11.830 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,71 € | 5,42 € |
| 20 - 48 | 2,435 € | 4,87 € |
| 50 - 98 | 2,28 € | 4,56 € |
| 100 - 198 | 2,11 € | 4,22 € |
| 200 + | 1,98 € | 3,96 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 260-1077
- Referência do fabricante:
- IQE013N04LM6CGSCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 205A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | WHTFN | |
| Serie | IQE | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 9 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 205A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado WHTFN | ||
Serie IQE | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 9 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de Infineon permiten conectar el potencial de fuente a la PCB a través de la almohadilla térmica, lo que ofrece varias ventajas, como mayor capacidad térmica, densidad de potencia avanzada o posibilidades de diseño mejoradas. También tiene los requisitos de refrigeración activa reducidos y el diseño eficaz para la gestión térmica, que son ventajas a nivel del sistema.
Permite la densidad de potencia y el rendimiento más altos
Rendimiento térmico superior
Posibilidades de diseño optimizadas
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 205 A, Mejora, WHTFN de 9 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQD020N10NM5CGSCATMA1, VDSS 100 V, ID 276 A, Mejora, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE046N08LM5CGSCATMA1, VDSS 80 V, ID 99 A, Mejora, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE030N06NM5CGSCATMA1, VDSS 60 V, ID 132 A, Mejora, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE050N08NM5CGSCATMA1, VDSS 80 V, ID 99 A, Mejora, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQD063N15NM5CGSCATMA1, VDSS 150 V, ID 151 A, Mejora, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 205 A, Mejora, WHSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE013N04LM6SCATMA1, VDSS 40 V, ID 205 A, Mejora, WHSON de 8 pines