MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQD020N10NM5CGSCATMA1, VDSS 100 V, ID 276 A, Mejora, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- Código RS:
- 351-909
- Referência do fabricante:
- IQD020N10NM5CGSCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 20 - 198 | 5,095 € | 10,19 € |
| 200 - 998 | 4,695 € | 9,39 € |
| 1000 - 1998 | 4,355 € | 8,71 € |
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*preço indicativo
- Código RS:
- 351-909
- Referência do fabricante:
- IQD020N10NM5CGSCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 276A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | IQD0 | |
| Encapsulado | PG-WHTFN-9 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 9 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.05mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 333W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 107nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 0.75mm | |
| Anchura | 6 mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 276A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie IQD0 | ||
Encapsulado PG-WHTFN-9 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 9 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.05mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 333W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 107nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 0.75mm | ||
Anchura 6 mm | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Este MOSFET de potencia de Infineon viene con una baja RDS(on) de 2,05 mΩ combinada con un rendimiento térmico excepcional para una fácil gestión de las pérdidas de energía. El tamaño de la versión Centre-Gate está optimizado para conexión en paralelo. Además, con el paquete de refrigeración de doble cara se puede disipar cinco veces más potencia que con el encapsulado sobremoldeado. Esto permite una mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia para una gran variedad de aplicaciones finales.
Tecnología de silicio de 100 V de vanguardia
FOM destacados
Rendimiento térmico mejorado
Parásitos ultrabajos
Relación chip/paquete maximizada
Tamaño de Center-Gate
Encapsulado estándar de la industria
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