Módulo de potencia SiC Semikron Danfoss SK200MB120CR03TE2, VDSS 1200 V, ID 223 A, SEMITOP E2
- Código RS:
- 351-859
- Referência do fabricante:
- SK200MB120CR03TE2
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
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- Código RS:
- 351-859
- Referência do fabricante:
- SK200MB120CR03TE2
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Semikron Danfoss | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 223A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | SEMITOP E2 | |
| Serie | SEMITOP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 4.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 15 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 590nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61340/UL | |
| Anchura | 57 mm | |
| Longitud | 63mm | |
| Altura | 12mm | |
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|---|---|---|
Marca Semikron Danfoss | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 223A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado SEMITOP E2 | ||
Serie SEMITOP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 4.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 15 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 590nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 61340/UL | ||
Anchura 57 mm | ||
Longitud 63mm | ||
Altura 12mm | ||
- COO (País de Origem):
- IT
El semipuente Semikron SiC MOSFET WS tiene una corriente nominal de 223 A y es fácil de controlar con una tensión de puerta de +15 V. Ofrece una estabilidad de conmutación optimizada con resistencias de puerta integradas en el módulo e incluye un sensor de temperatura NTC integrado para una supervisión térmica eficaz. Reconocido por UL con el n.º de expediente E63532.
Diseño optimizado para un rendimiento térmico superior
Diseño de inductancia extremadamente baja
Tecnología de contacto Press Fit
mOSFET SiC planar Gen3 de 1200 V
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