Módulo de potencia SiC Semikron Danfoss SK150MB120CR03TE2, VDSS 1200 V, ID 185 A, SEMITOP E2
- Código RS:
- 351-858
- Referência do fabricante:
- SK150MB120CR03TE2
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
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- Código RS:
- 351-858
- Referência do fabricante:
- SK150MB120CR03TE2
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Semikron Danfoss | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 185A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | SEMITOP | |
| Encapsulado | SEMITOP E2 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 15 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 472nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 57 mm | |
| Certificaciones y estándares | UL | |
| Altura | 12mm | |
| Longitud | 63mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Semikron Danfoss | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 185A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie SEMITOP | ||
Encapsulado SEMITOP E2 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 15 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 472nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 57 mm | ||
Certificaciones y estándares UL | ||
Altura 12mm | ||
Longitud 63mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- IT
El semipuente Semikron SiC MOSFET WS tiene una corriente nominal de 185 A y es fácil de controlar con una tensión de puerta de +15 V. Ofrece una estabilidad de conmutación optimizada con resistencias de puerta integradas en el módulo e incluye un sensor de temperatura NTC integrado para una supervisión térmica eficaz. Reconocido por UL con el n.º de expediente E63532.
Diseño optimizado para un rendimiento térmico superior
Diseño de inductancia extremadamente baja
Tecnología de contacto Press Fit
mOSFET SiC planar Gen3 de 1200 V
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