Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPF067N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 138 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- Código RS:
- 349-407
- Referência do fabricante:
- IPF067N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-407
- Referência do fabricante:
- IPF067N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 138A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | IPF | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 72nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | 100% Avalanche Tested, IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 138A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie IPF | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 72nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares 100% Avalanche Tested, IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de 120 V de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Brinda una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que reduce las pérdidas de conducción y mejora la eficiencia global. Con un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM), ofrece un rendimiento de conmutación superior. El dispositivo también tiene una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, lo que garantiza un funcionamiento eficaz.
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
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